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零件图片（仅供参考）
AONR21321
规格参数

AONR21321是一款由AOS制造的30V、24A P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）封装。其核心电气特性表现为极低的导通电阻，在10V Vgs和12A Id条件下，Rds(on)最大值仅为16.5mΩ，能显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至34nC（@10V），有利于实现高效率的高频开关操作。

该器件设计兼容逻辑电平驱动，Vgs(th)最大值为2.3V，驱动电压范围在4.5V至10V之间，便于系统集成。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。这些参数共同构成了AONR21321在高性能电源转换、电机控制和负载开关等应用中的关键优势。

  • 制造商产品型号：AONR21321
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16.5 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AONR21321
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AONR21321的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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