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零件图片(仅供参考)
AOZ5516QI
规格参数

AOZ5516QI是AOS公司推出的一款高集成度单相DrMOS(驱动器+MOSFET)功率模块,采用31引脚QFN表面贴装封装。该模块将优化的栅极驱动器与高性能上下桥MOSFET集成一体,专为高频、高电流的同步降压转换应用而设计。

其核心优势在于支持高达55A的连续输出电流,并兼容25V输入电压等级,能够显著提升电源系统的功率密度和转换效率。通过集成自举二极管和保护电路,它简化了外围设计,减少了PCB占板面积,非常适合用于构建多相并联的CPU/GPU核心供电电路。

该器件适用于服务器、数据中心、高端图形卡及网络设备等对电源效率和动态性能要求苛刻的场合,是构建紧凑型、高效率电压调节模块(VRM)的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOZ5516QI
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IC POWER DRMOS 25V 55A 31QFN
  • 系列:功率驱动器模块
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:MOSFET
  • 配置:单相
  • 电流:55A
  • 电压:-
  • 电压-隔离:-
  • 安装类型:表面贴装型
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOZ5516QI
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:IC POWER DRMOS 25V 55A 31QFN
  • 产品应用分类:功率驱动器模块
  • 点击此处查询AOZ5516QI的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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