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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6409A是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET,采用6-TSOP封装,专为高效、紧凑的功率管理解决方案而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(41mΩ @ 4.5V, 5.5A)与优异的开关特性(栅极电荷仅11nC),这共同确保了在开关和传导过程中的功耗最小化。
该器件兼容1.8V至4.5V的低压栅极驱动,便于直接由低压逻辑电路控制,简化了系统设计。其20V的漏源电压和5.5A的连续电流能力,结合-55°C至150°C的宽工作结温范围,使其能够在严苛环境下稳定工作,适用于对空间和效率有高要求的便携式电子设备及电源模块。

基本参数:
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