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AO6409A是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP封装，专为高效、紧凑的功率管理解决方案而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（41mΩ @ 4.5V, 5.5A）与优异的开关特性（栅极电荷仅11nC），这共同确保了在开关和传导过程中的功耗最小化。

该器件兼容1.8V至4.5V的低压栅极驱动，便于直接由低压逻辑电路控制，简化了系统设计。其20V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在严苛环境下稳定工作，适用于对空间和效率有高要求的便携式电子设备及电源模块。

• 型号:AO6409A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 5.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• AO6409A，AOS产品一站式供应商。