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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4826是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET通道，每个通道具备60V的漏源电压（Vdss）耐受能力，为电路设计提供了可靠的电压裕度。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至25毫欧（@6.3A），能显著降低导通损耗。同时，最大3V的栅源阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，简化了接口设计。58nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，适用于高效率的开关电源和电机驱动应用。
基本参数：
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