AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6920_001是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件集成了两个非对称的MOSFET，最大漏源电压为30V，连续漏极电流能力分别为15A和26.5A，适用于中高电流应用。
其核心优势在于优异的导通性能与开关特性。在20A、10V条件下，导通电阻典型值低至5.2毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大栅极电荷仅为21nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。器件工作结温范围为-55°C至150°C，确保了宽温环境下的可靠性。
基本参数：
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