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零件图片（仅供参考）
AOI21357
规格参数

AOI21357是一款由AOS制造的30V P沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在Vgs=10V， Id=20A条件下，Rds(on)典型值仅为8毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统效率。

该器件具备强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）25°C下连续漏极电流高达70A，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的可靠运行。其低栅极电荷（Qg@10V: 70nC）特性有利于实现快速开关，降低驱动损耗，适用于DC-DC转换、电机驱动及电池管理系统等要求高效率与高可靠性的中功率开关应用。

  • 制造商产品型号：AOI21357
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），70A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2830pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W (Ta)，78W (Tc)
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-251A
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOI21357
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOI21357的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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