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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6536是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件设计用于在30V的漏源电压下工作，具备优异的电流处理能力，其连续漏极电流在管壳温度（Tc）下可达55A，在环境温度（Ta）下为22A。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、20A条件下典型值仅为7毫欧，以及较低的栅极电荷（30nC @ 10V）。这些参数共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中实现高效率与低功耗。器件支持宽范围栅极驱动，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求高可靠性和高功率密度的设计。
基本参数：
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