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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD417是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件设计用于处理高达30V的漏源电压和25A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为34毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。
此外，该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）为16.2nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及高达50W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在各种严苛环境下的稳定性和可靠性，是高效率电源转换和功率开关应用的理想选择。
基本参数：
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