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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW11N60是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至700毫欧（@10V， 5.5A），能显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg(max)=37nC）确保了快速的开关瞬态，有助于最小化开关损耗并简化栅极驱动设计。
结合高达272W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，AOW11N60是一款面向高效、可靠工业级电源与电机驱动应用的优化功率开关解决方案。
基本参数：
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