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零件图片（仅供参考）
AON7401
规格参数

AON7401是AOS推出的一款30V P沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，在10V Vgs下Rds(On)典型值仅为14mΩ，同时栅极电荷（Qg）低至39nC，这共同保障了高效率与快速的开关瞬态响应。

该器件在管壳温度（Tc）下可承载高达35A的连续漏极电流，并支持29W的最大功率耗散，具备处理较高功率的能力。其3V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的直接兼容性，简化了驱动电路设计。宽广的-55°C 至 150°C工作结温范围使其能够满足工业及汽车应用的可靠性要求。

  • 制造商产品型号：AON7401
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），35A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（3x3）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON7401
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7401的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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