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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB2500L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）封装。其核心电气参数定位明确，150V的漏源电压和在壳温下高达152A的连续电流能力，使其能够胜任中高功率应用场景。
该器件的关键优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(On)）低至6.2毫欧（@10V, 20A），能显著降低导通状态下的能耗，提升系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）仅为136nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。结合宽广的-55°C至175°C工作结温范围，AOB2500L为要求高效率、高可靠性的电源转换和电机驱动设计提供了坚实的硬件基础。
基本参数：
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