
我们为全球各个行业提供AOS AO4484L及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4484L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件核心参数包括40V的漏源电压(Vdss)和10A的连续漏极电流(Id),为低压功率系统提供了可靠的开关基础。
其关键优势在于极低的功率损耗,在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(on))典型值低至10毫欧,能显著降低导通状态下的热量生成,提升系统能效。同时,3V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电路的兼容性,便于驱动设计。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







