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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF12T50PL是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），具备处理高压大电流负载的能力。
其关键电气参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至500mΩ @ 6A，有助于降低导通损耗，提升系统效率。同时，最大32nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，适用于高频开关应用。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，可靠性高。
基本参数：
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