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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD607_DELTA 是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道互补集成的功率MOSFET阵列,采用TO-252-4L表面贴装封装。该器件设计用于优化低压、大电流应用场景,其核心优势在于将两个性能匹配的MOSFET集成于单一封装内,简化了电路布局并提升了系统可靠性。
其关键电气参数包括30V的漏源电压额定值和12A的连续漏极电流能力。器件具备优异的低导通电阻特性(N沟道25mΩ, P沟道37mΩ @ 10V, 12A),以及较低的栅极电荷和输入电容,这共同确保了高效的功率转换和较低的开关损耗。宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C)使其能够适应严苛的工作环境。

基本参数:

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