AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6260是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高电流、高效率应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为2.4毫欧@20A，栅极电荷最大值为115nC，这有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体能效。
该器件额定漏源电压为60V，在壳温条件下可承载高达85A的连续漏极电流，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围。这些特性使其能够稳定应对高功率密度设计中的热管理与电气应力挑战，是同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的可靠功率开关解决方案。
基本参数：
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