
我们为全球各个行业提供AOS AOL1208及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOL1208是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用UltraSO-8封装,专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(11mΩ @ 20A, 10V)和优化的栅极电荷(20nC @ 10V),这共同实现了出色的传导与开关性能平衡,能有效降低系统功耗。
该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度下可支持高达50A的连续电流,并具备-55°C至175°C的宽工作结温范围,确保了在苛刻环境下的可靠性。其紧凑的表面贴装封装为空间受限的电源管理、电机驱动及负载开关解决方案提供了高性能的半导体开关选项。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







