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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW482是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SDMOS产品系列。该器件采用TO-262通孔封装，核心特性包括80V的漏源电压（Vdss）额定值，以及极低的导通电阻（典型值7.2mΩ @ 10V, 20A），这使其能够高效处理大电流，显著降低功率损耗。
其设计兼顾了开关性能与鲁棒性，最大栅极电荷（Qg）仅为81nC，有利于实现快速开关并提升系统频率。器件支持高达105A（Tc）的连续漏极电流，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻的工业与汽车环境下的稳定性和长寿命可靠性。
制造商产品型号：AOW482制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SDMOS零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：80V25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Ta），105A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.2 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：81nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4870pF @ 40VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-262AOW482，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOW482
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOW482的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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