AON6362P（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AON6362P是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，额定漏源电压为30V。该器件针对高效率开关应用进行了深度优化，其核心优势在于实现了低导通电阻与优异开关特性的结合。

通过采用先进的半导体工艺，它在降低栅极电荷和输入电容方面表现突出，这直接带来了更快的开关速度、更低的驱动损耗以及更优的高频工作性能。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换器和负载开关等电路的理想选择，旨在提升系统整体能效和功率密度。

制造商产品型号：AON6362P

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 30V 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：最後

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AON6362P，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AON6362P

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 8DFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AON6362P的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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