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AON6405_102是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）和高达30A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合其极低的导通电阻（最大5.2毫欧 @ 10V, 20A），能够显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件具备宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至10V）和±20V的Vgs耐受能力，兼容性强且稳健。其出色的热性能（最大功率耗散104W @ Tc）和宽广的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在高功率密度应用中的可靠性与长寿命。这些特性使其成为电源管理、电机驱动和电池保护等领域的优选解决方案。

• 制造商产品型号：AON6405_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 28A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5020pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• AON6405_102，AOS产品一站式供应商。