AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB095A60L 是AOS公司基于aMOS5技术推出的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的高耐压与低至95毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高电压大电流工况下显著降低导通损耗。
器件在25°C壳温下额定连续电流达38A，最大栅极电荷（Qg）为78nC，这有助于优化开关性能，减少驱动损耗。其采用TO-263（D2Pak）封装，最大功耗378W，工作结温范围-55°C至150°C，为高功率密度和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业电源应用提供了高效的功率开关解决方案。
基本参数：
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