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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD7S65 是AOS公司基于aMOS技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关特性。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至650毫欧（@3.5A），能有效降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大9.2nC @10V）和输入电容（Ciss，最大434pF @100V）确保了快速、高效的开关性能，有助于提升系统整体能效并简化驱动电路设计。
基本参数：
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