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AOD7S65 是AOS公司基于aMOS技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通与开关特性。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至650毫欧（@3.5A），能有效降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大9.2nC @10V）和输入电容（Ciss，最大434pF @100V）确保了快速、高效的开关性能，有助于提升系统整体能效并简化驱动电路设计。

• 型号:AOD7S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:89W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD7S65，AOS产品一站式供应商。