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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOUS66616是一款采用UltraSO-8封装的N沟道功率MOSFET,隶属于AOS的AlphaSGT产品系列。其核心卖点在于在紧凑的封装内集成了高耐压与大电流能力,具备60V的漏源电压(Vdss)以及高达92A(Tc)的连续漏极电流。
该器件通过优化的技术实现了极低的导通损耗,其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs下典型值仅为3.3毫欧。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大值60nC)确保了快速的开关瞬态响应,有助于提升开关电源的整体效率并降低驱动需求。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的功率转换应用的优选解决方案。

基本参数:
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