AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT9N50是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压开关应用而优化。其核心优势在于500V的漏源电压和9A的连续漏极电流额定值，提供了坚实的功率处理基础。
该器件通过低至850毫欧的导通电阻最大限度地减少了导通损耗，同时28nC的低栅极电荷确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并降低电磁干扰。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和192W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的长期运行稳定性。
基本参数：
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