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零件图片(仅供参考)
AOK8N80
规格参数

AOK8N80是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET,采用TO-247通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的定位:800V的漏源电压(Vdss)确保了在严苛的离线电源环境下的高可靠性,而7.4A的连续漏极电流(Id)1.63欧姆的典型导通电阻(Rds(on))的组合,则在保证一定电流处理能力的同时,致力于最小化导通损耗。

该器件的开关特性由32nC的最大栅极电荷(Qg)10V的标准驱动电压所表征,这有助于实现较快的开关速度并控制驱动电路的复杂性。其245W的最大功率耗散能力与宽工作结温范围(-55°C至150°C)共同保障了器件在持续高功率运行下的热稳定性。这些参数使其成为适用于中功率等级开关电源、电机驱动等高效能转换系统的关键组件。

  • 制造商产品型号:AOK8N80
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):800V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):7.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.63 欧姆 @ 4A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):32nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):245W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOK8N80
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOK8N80的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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