AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6604_001是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道MOSFET集成阵列，采用6-TSOP（SOT-457）表面贴装封装。该器件设计用于逻辑电平驱动，栅极阈值电压低，可直接由微控制器端口控制，简化了驱动电路设计。
其核心优势在于优异的电气性能：20V的漏源电压额定值，N沟道3.4A、P沟道2.5A的连续电流能力，以及低至60毫欧的导通电阻和仅3.8nC的栅极电荷。这些参数共同确保了低传导损耗与高开关效率，最大功耗1.1W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备高可靠性。
此芯片适用于空间受限且要求高效率的应用，如便携式设备的电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池保护电路等。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
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