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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI4S60是AOS公司aMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优化的动态特性，包括低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)）以及仅6nC的栅极电荷（Qg）。这些特性共同作用，能够有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。其宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的高可靠性，使其成为中低功率开关电源、电机驱动等高压开关应用的理想选择。
基本参数：
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