AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4618是一款由AOS制造的N沟道与P沟道MOSFET集成阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为简化电路设计、提升功率密度而优化，其40V的漏源电压（Vdss）以及N沟道8A、P沟道7A（25°C）的连续漏极电流（Id）额定值，使其能够胜任多种中功率切换任务。
其核心优势在于逻辑电平门极驱动（最大Vgs(th) 2.4V）和极低的导通电阻（典型19mΩ @ 8A, 10V），这允许其直接由低压逻辑信号高效驱动，同时最大限度地降低导通损耗。配合较低的栅极电荷（最大12nC @ 10V）和输入电容（最大415pF @ 20V），该器件可实现快速的开关性能，适用于对效率和开关频率有要求的电源管理及电机驱动应用场景。
基本参数：
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