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AO4618是一款由AOS制造的N沟道与P沟道MOSFET集成阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为简化电路设计、提升功率密度而优化，其40V的漏源电压（Vdss）以及N沟道8A、P沟道7A（25°C）的连续漏极电流（Id）额定值，使其能够胜任多种中功率切换任务。

其核心优势在于逻辑电平门极驱动（最大Vgs(th) 2.4V）和极低的导通电阻（典型19mΩ @ 8A, 10V），这允许其直接由低压逻辑信号高效驱动，同时最大限度地降低导通损耗。配合较低的栅极电荷（最大12nC @ 10V）和输入电容（最大415pF @ 20V），该器件可实现快速的开关性能，适用于对效率和开关频率有要求的电源管理及电机驱动应用场景。

• 型号:AO4618
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A/7A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4618，AOS产品一站式供应商。