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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT286L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于80V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻（Rds(on)典型值6mΩ @ 10V, 20A），这能显著降低导通损耗，提升系统效率。
该器件具备出色的电流处理能力，壳温下连续漏极电流（Id）可达70A，并支持高达175°C的结温（TJ）。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，适用于高频开关场景。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想选择。
基本参数：
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