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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW296是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术制造。该器件额定值为100V漏源电压（Vdss）和70A连续漏极电流（Id），具备极低的9.7毫欧导通电阻（Rds(on)），能有效降低功率损耗，提升系统整体效率。
其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为52nC，有助于实现快速开关并简化驱动设计。器件采用TO-262封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用和恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为高性能DC-DC转换、电机驱动和工业电源等领域的优选功率开关解决方案。
制造商产品型号：AOW296制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：AlphaSGT零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：52nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2785pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：104W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-262AOW296，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOW296
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOW296的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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