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AOW296是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术制造。该器件额定值为100V漏源电压（Vdss）和70A连续漏极电流（Id），具备极低的9.7毫欧导通电阻（Rds(on)），能有效降低功率损耗，提升系统整体效率。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为52nC，有助于实现快速开关并简化驱动设计。器件采用TO-262封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用和恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为高性能DC-DC转换、电机驱动和工业电源等领域的优选功率开关解决方案。

• 型号:AOW296
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW296，AOS产品一站式供应商。