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零件图片（仅供参考）
AO6401
规格参数

AO6401是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气特性包括30V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）能力，为低压、中电流应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能与驱动便利性。在10V栅极驱动下，其导通电阻低至47毫欧，能有效降低功率损耗。同时，其1.3V的最大栅极阈值电压和2.5V的最小推荐驱动电压，使其能够被常见的3.3V或5V逻辑电平轻松且高效地驱动，简化了系统设计。

  • 制造商产品型号：AO6401
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：47 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：780pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：6-TSOP
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO6401
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO6401的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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