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AO4485L_102 是一款采用 8-SO 封装的 P 沟道功率 MOSFET，其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的竞争力。器件具备 40V 的漏源耐压（Vdss）和 10A（Ta）的连续漏极电流处理能力，适用于中压、中电流的电源路径管理。

其关键优势在于优异的导通特性，在 Vgs=10V、Id=10A 条件下，导通电阻最大值仅为 15 毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，最大 55nC 的低栅极电荷（Qg @ 10V）确保了快速的开关响应，有利于提升系统频率和效率。宽广的结温工作范围（-55°C ~ 150°C）则保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AO4485L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 40V 10A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4485L_102，AOS产品一站式供应商。