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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6758_102是AOS AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为3.6毫欧@20A，能有效降低传导损耗，提升系统效率。
器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流能力高达27A (Ta) / 32A (Tc)，并集成了体肖特基二极管。其低栅极电荷（40nC @10V）有利于实现快速开关，适用于高频开关电源设计。该MOSFET主要面向服务器、通信设备、计算机主板等领域的DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用。
基本参数：
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