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AON6758_102是AOS AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为3.6毫欧@20A，能有效降低传导损耗，提升系统效率。

器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流能力高达27A (Ta) / 32A (Tc)，并集成了体肖特基二极管。其低栅极电荷（40nC @10V）有利于实现快速开关，适用于高频开关电源设计。该MOSFET主要面向服务器、通信设备、计算机主板等领域的DC-DC转换、同步整流及电机驱动等应用。

• 制造商产品型号：AON6758_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• AON6758_102，AOS产品一站式供应商。