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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4801L是一款采用8-SOIC封装的表面贴装型双P沟道MOSFET阵列,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。每个MOSFET通道额定值为30V漏源电压(Vdss)和5A连续漏极电流(Id),在10V Vgs条件下导通电阻(Rds(on))低至48毫欧,有效降低了导通损耗。
该器件具备优异的开关性能,其最大栅极电荷(Qg)仅为9nC,栅极阈值电压(Vgs(th))最大1.3V,易于驱动并支持高频开关操作。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于要求高可靠性的工业与消费类应用,如电源管理、负载开关和电机驱动等场景。

基本参数:

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