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AOL1432是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用UltraSO-8封装。其核心电气参数定义了高性能开关特性：25V的漏源电压（Vdss）适用于主流低压系统；在壳温条件下，器件可支持高达44A的连续漏极电流，并具备30W的最大功率耗散能力，展现了出色的电流处理与散热性能。

该器件的关键优势在于极低的功率损耗。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大仅为8.5毫欧，有效降低了导通状态下的能量损失。同时，最大32nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关瞬态，减少了开关损耗。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度设计的理想选择，尤其适用于同步整流和DC-DC降压转换等应用。

• 型号:AOL1432
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1716 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• AOL1432，AOS产品一站式供应商。