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AON5810是AOS公司生产的一款双N沟道、共漏极配置的功率MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件设计用于逻辑电平驱动，其栅极阈值电压低至1V，可直接由标准微控制器端口驱动，简化了接口电路。

其核心电气参数表现出色，具备20V的漏源击穿电压和7.7A的连续电流能力。在4.5V栅极驱动下，导通电阻低至18毫欧，有效降低了功率损耗。优化的栅极电荷（13.1nC @ 4.5V）与输入电容特性，使其能够胜任高频开关应用，兼顾了效率与速度。

• 型号:AON5810
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-DFN-EP（2x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 7.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN-EP（2x5）
• AON5810，AOS产品一站式供应商。