AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON5810是AOS公司生产的一款双N沟道、共漏极配置的功率MOSFET阵列，采用6-DFN表面贴装封装。该器件设计用于逻辑电平驱动，其栅极阈值电压低至1V，可直接由标准微控制器端口驱动，简化了接口电路。
其核心电气参数表现出色，具备20V的漏源击穿电压和7.7A的连续电流能力。在4.5V栅极驱动下，导通电阻低至18毫欧，有效降低了功率损耗。优化的栅极电荷（13.1nC @ 4.5V）与输入电容特性，使其能够胜任高频开关应用，兼顾了效率与速度。
基本参数：
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