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AOD4N60_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心特性包括高达600V的漏源电压额定值，以及4A的连续漏极电流能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态与静态参数。其导通电阻在10V驱动电压下典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关频率并降低开关损耗。这些特性使其成为中功率离线式电源转换、照明驱动和电机控制等应用的理想功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AOD4N60_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：640pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• AOD4N60_001，AOS产品一站式供应商。