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AOSS21115C是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SOT-23-3表面贴装封装。该器件在20V漏源电压（Vdss）和4.5A连续漏极电流（Id）的额定值下，提供了卓越的电气性能。

其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V Vgs下最大仅为40毫欧，以及极低的栅极电荷（17nC @ 4.5V），这共同实现了高效的功率传输与快速的开关速度，显著降低系统损耗。器件支持低至1.8V的驱动电压，兼容主流逻辑电平，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种应用环境下的可靠运行。

• 型号:AOSS21115C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AOSS21115C，AOS产品一站式供应商。