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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOSS21115C是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET,采用SOT-23-3表面贴装封装。该器件在20V漏源电压(Vdss)和4.5A连续漏极电流(Id)的额定值下,提供了卓越的电气性能。
其核心优势在于极低的导通电阻,在4.5V Vgs下最大仅为40毫欧,以及极低的栅极电荷(17nC @ 4.5V),这共同实现了高效的功率传输与快速的开关速度,显著降低系统损耗。器件支持低至1.8V的驱动电压,兼容主流逻辑电平,工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在各种应用环境下的可靠运行。

基本参数:
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