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AOTF8N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心特性在于600V的高漏源电压和8A的连续漏极电流能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在导通电阻与开关性能间取得了良好平衡，其最大导通电阻为900毫欧（@10V, 4A），有助于降低导通损耗。同时，最大35nC的低栅极电荷使其具备快速的开关响应能力，有利于提升系统效率并简化驱动电路设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。

• 型号:AOTF8N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF8N60，AOS产品一站式供应商。