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AOSP32320C是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于30V的漏源电压和8.5A的连续漏极电流处理能力，结合低至22毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。

该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为20nC，栅极阈值电压典型值为2.3V，支持快速的开关频率，适用于高频电源转换应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。

• 型号:AOSP32320C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AOSP32320C，AOS产品一站式供应商。