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零件图片（仅供参考）
AOTF22N50_001
规格参数

AOTF22N50_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，专为高电压开关应用而设计，旨在提供可靠的功率处理能力。

作为一款高压器件，其核心价值在于能够在严苛的电压条件下稳定工作，适用于需要高效功率转换和控制的场景。尽管其具体电气参数如漏源电压、连续电流及导通电阻需查阅详细规格书确认，但该型号代表了在相应功率等级下的一种经典解决方案。工程师在选用时，应重点关注其电压额定值、开关特性以及与散热相关的封装设计，以匹配目标应用的需求。

  • 制造商产品型号：AOTF22N50_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 器件封装：-
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF22N50_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF22N50_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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