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AOTF22N50_001 零件图片(仅供参考)

AOTF22N50_001
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AOTF22N50_001 规格参数

AOTF22N50_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术,专为高电压开关应用而设计,旨在提供可靠的功率处理能力。

作为一款高压器件,其核心价值在于能够在严苛的电压条件下稳定工作,适用于需要高效功率转换和控制的场景。尽管其具体电气参数如漏源电压、连续电流及导通电阻需查阅详细规格书确认,但该型号代表了在相应功率等级下的一种经典解决方案。工程师在选用时,应重点关注其电压额定值、开关特性以及与散热相关的封装设计,以匹配目标应用的需求。

  • 制造商产品型号:AOTF22N50_001
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
  • AOTF22N50_001,AOS产品一站式供应商。
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AOTF22N50_001 基本参数:

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