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零件图片（仅供参考）
AON6794
规格参数

AON6794是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达85A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下最大值仅为2.8毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大37.5nC的低栅极电荷有利于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其非常适用于高效率的同步整流、电机驱动及高密度电源转换等应用。

器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。其紧凑的封装和优异的电气性能组合，为空间受限的高功率应用提供了可靠的解决方案。

  • 制造商产品型号：AON6794
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Ta），85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37.5nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2150pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6794
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 39A/85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6794的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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