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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7826是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。该器件设计用于在20V漏源电压下处理高达9A的连续电流，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值23mΩ @9A, 10V）和较低的栅极电荷（最大值15nC @10V），这共同实现了高效率的功率转换与快速的开关性能。
其逻辑电平门驱动特性（Vgs(th) ≤1.1V）使其可直接兼容现代低压微处理器，简化了驱动电路设计。该MOSFET工作结温范围覆盖-55°C至150°C，采用表面贴装，适合高密度PCB布局。这些参数使其成为空间和效率敏感型电源管理应用的理想选择，例如同步DC-DC转换器和电机驱动电路。
基本参数：
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