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AOB29S50L是AOS公司aMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高功率应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为150毫欧，配合26.6nC的较低栅极电荷（Qg），有效平衡了传导损耗与开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及工业电源系统效率和功率密度的理想选择。

• 型号:AOB29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB29S50L，AOS产品一站式供应商。