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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB29S50L是AOS公司aMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高功率应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为150毫欧，配合26.6nC的较低栅极电荷（Qg），有效平衡了传导损耗与开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及工业电源系统效率和功率密度的理想选择。
基本参数：
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