AON6450L_001（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AON6450L_001是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心卖点在于高达52A（Tc）的连续漏极电流承载能力和100V的漏源电压额定值，这使其能够胜任高功率开关应用。

该器件设计注重降低损耗，其优化的导通电阻特性有助于最小化传导损耗，从而提升系统整体能效。紧凑的封装形式与良好的热设计相结合，使其成为空间受限且对散热要求严苛的高功率密度电源设计的理想选择。

制造商产品型号：AON6450L_001

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 100V 8DFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：有源

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-DFN（5x6）

AON6450L_001，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AON6450L_001

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 8DFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AON6450L_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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