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零件图片（仅供参考）
AO4613_001
规格参数

AO4613_001是AOS公司推出的一款N沟道与P沟道互补的MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心优势在于逻辑电平门驱动，栅极阈值电压最大仅3V，可直接由3.3V/5V微控制器驱动，简化了电路设计。

该器件在10V Vgs下导通电阻低至24毫欧，栅极电荷仅为15nC，实现了低传导损耗与快速开关特性的良好平衡。30V的漏源电压耐压与-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够稳定适用于多种中低压功率切换与电机控制场景。

  • 制造商产品型号：AO4613_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7.2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4613_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4613_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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