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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7514是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装。其核心电气参数针对高效率功率处理进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）和高达30A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大值仅为5毫欧，以及较低的栅极电荷（最大值22.5nC @ 10V）。这种特性组合使其能够在同步整流和开关电路中实现较低的导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率。其2.2V的最大栅极阈值电压确保了与低压控制器的良好兼容性。
基本参数：
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