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AOD421是AOS推出的一款采用TO-252封装的P沟道功率MOSFET。该器件额定值为20V漏源电压与12.5A连续漏极电流，核心卖点在于其低导通电阻特性，在10V Vgs条件下典型Rds(on)仅为75毫欧，能有效降低功率损耗，提升系统能效。

其设计针对易于驱动和高频开关进行了优化，最大栅极电荷低至4.6nC，且可由标准逻辑电平直接驱动，这简化了驱动电路设计并支持快速的开关速度。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与TO-252封装提供的散热能力，共同确保了其在紧凑型电源管理、负载开关及电池保护等应用中的稳定性和耐用性。

• 型号:AOD421
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），18.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD421，AOS产品一站式供应商。