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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD421是AOS推出的一款采用TO-252封装的P沟道功率MOSFET。该器件额定值为20V漏源电压与12.5A连续漏极电流，核心卖点在于其低导通电阻特性，在10V Vgs条件下典型Rds(on)仅为75毫欧，能有效降低功率损耗，提升系统能效。
其设计针对易于驱动和高频开关进行了优化，最大栅极电荷低至4.6nC，且可由标准逻辑电平直接驱动，这简化了驱动电路设计并支持快速的开关速度。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与TO-252封装提供的散热能力，共同确保了其在紧凑型电源管理、负载开关及电池保护等应用中的稳定性和耐用性。
制造商产品型号：AOD421制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：12.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 12.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta），18.8W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD421，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD421
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD421的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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