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AO6085N03是一款30V N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（8.5mΩ @10V, 20A）与优化的开关特性，栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC，有助于显著降低开关损耗，提升系统频率与能效。

该器件提供高达11A（Ta）/50A（Tc）的连续漏极电流能力，并支持4.5V至10V的标准驱动电压，兼容逻辑电平驱动。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和31W（Tc）的最大功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠性与热稳定性，是紧凑型电源转换和电机控制方案的理想选择。

• 型号:AO6085N03
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• AO6085N03，AOS产品一站式供应商。