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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6266_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，由AOS制造。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下30A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高功率应用。
该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs和20A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为15毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）为15nC @ 4.5V，支持快速开关，有助于提升开关电源等系统的效率和频率性能。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。
基本参数：
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