AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7932_101是一款由AOS制造的表面贴装型功率MOSFET阵列，在一个8-WDFN封装内集成了两个N沟道MOSFET，构成半桥配置。该器件设计用于30V的中低压系统，其逻辑电平门极（Vgs(th)最大2.4V）可直接由标准微控制器驱动，简化了接口设计。
其核心电气优势在于优异的开关性能与低导通损耗的结合。在10V Vgs条件下，导通电阻低至20毫欧（@6.6A），同时栅极电荷最大值仅为6.5nC，这确保了高效率与快速的开关速度。器件提供6.6A与8.1A的连续漏极电流能力，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于对空间和能效有严格要求的紧凑型功率电路。
基本参数：
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